有源驅動彩色OLED技術是未來OLED技術重點發展方向之一，也是制備OLED電視機和顯示器的必須技術。這一技術很大程度可以繼承LCD的TFT驅動技術。但是LCD液晶是電壓驅動，而OLED是電流驅動，這就決定了二者還將擁有一定的技術差異。

    TFT（ThinFilmTransistor）是指薄膜晶體管，意即每個像素點都是由集成在像素點后面的薄膜晶體管來驅動。這種技術具有響應迅速、精度高、可做到點到點的調整等突出特點。雖然其制備工藝更復雜，但是還是得到了市場的廣泛青睞。目前大多數液晶和OLED顯示屏都趨向于采用這種驅動技術。

    有源驅動OLED技術，AMOLED的發展主要取決于TFT在OLED中的應用。TFT-AMOLED驅動技術有三個研發方向：一是改進傳統的非晶硅技術(a-Si TFT)，二是開發載流子遷移率高的低溫多晶硅技術(LTPS TFT)，三是開發有機薄膜晶體管(OTFT)。

    LTPS TFT擁有較高的載流子遷移率，這對電流驅動型的OLED器件來說是非常有利的，然而制備技術還不成熟，成品率還很低。傳統的準分子激光晶化法非常昂貴，器件性能上亮度還不均勻。

    a-Si TFT可以延續液晶的技術，工藝簡單、成熟、成本低廉，且可以利用現有的液晶生產設備，基板尺寸可以做到10代線以上，但用于驅動OLED則存在遷移率低、器件性能穩定性差等缺點。從發展趨勢看，a-Si可能適合大尺寸顯示，LTPS則可能適合中小尺寸高節約能耗產品的顯示。

    另外OTFT技術采用有機材料代替硅，適合于軟屏制備，相對于硅薄膜晶體管，OTFT的工藝要簡單得多。但是OTFT技術還處于基礎研究階段。

    本質上以上三者都是TFT驅動技術，差異主要是薄膜晶體管的晶體材料和工藝，例如以上三種之外的UC-si/P-SI等技術。采用不同的工藝和材料可以獲得不一樣的效果。事實上，不同企業除了采用晶體硅氧化物方案外，薄膜晶體管技術領域在開發其它晶體技術方案，例如金屬氧化物。這些方案

    但是，a-Si TFT(Amorphous Silicon TFT)機板，依然是目前LCD業界廣為使用并為最有經濟效益的機板。研究顯示a-Si TFT的不穩定性來自兩個原因，一為a-Si:H本身的不穩定狀態，另一個則是電荷鎖在氮化硅閘極絕緣層。經過測試之后，利用負偏壓可以減少Vth電壓的漂移問題，加上負1伏特電壓的偏壓，經過1萬小時后，Vth電壓的漂移電壓是1.2伏特，相對沒有加上偏壓的2.7伏特的漂移電壓，則明顯改善許多。理論上，通過矯正性技術的引入，a-Si TFT將在顯示性能上得到很大改善，并最有希望率先將成熟的大尺寸OLED顯示產品引入到我們的日常生活之中。