2023年10月14日， Small methods在線刊發(fā)了華中科技大學(xué)唐江教授課題組題為《All-thermally evaporated blue perovskite light-emitting diodes for active matrix displays》的研究論文。論文第 一作者為朱佳興博士生，通訊作者為羅家俊副教授、李京徽博士以及宋博翔副教授。論文第 一單位為華中科技大學(xué)。

    研究背景

    顯示在我們的日常生活中無處不在，其具有萬億市場規(guī)模。鹵素鈣鈦礦發(fā)光二極管因其熒光量子產(chǎn)率高、半峰寬窄、原料便宜、加工容易受到了科研界和產(chǎn)業(yè)界的廣泛關(guān)注。尤其是鈣鈦礦色域可達140%的NTSC,優(yōu)于當前主流的有機發(fā)光二極管（OLED）顯示技術(shù)。隨著鈣鈦礦發(fā)光二極管（PeLED）的快速發(fā)展，大規(guī)模制造有源矩陣PeLED顯示器（AM PeLED）越來越受到關(guān)注。然而，高分辨率PeLED陣列與薄膜晶體管背板的集成仍然是傳統(tǒng)旋涂技術(shù)面臨的重大挑戰(zhàn)，與之相對的熱蒸發(fā)工藝是一種用于有機發(fā)光二極管（OLED）的技術(shù)，通過使用成熟的精細金屬掩模，可以實現(xiàn)像素化和大面積均勻制造。此外，它還提供精確的薄膜厚度調(diào)節(jié)、無溶劑工藝和高真空的清潔環(huán)境。更重要的是，通過熱蒸發(fā)生產(chǎn)的PeLED與現(xiàn)有的OLED制造工藝完全兼容，通過繼承現(xiàn)有的OLEDs生產(chǎn)線，將顯著降低制造成本。

    研究內(nèi)容及成果

    唐江教授團隊針對熱蒸發(fā)CsPbBrxCl3-x外量子效率低的核心問題，引入原位鈍化策略，極大地抑制了與缺陷相關(guān)的非輻射復(fù)合。團隊通過超快瞬態(tài)吸收光譜、瞬態(tài)熒光光譜研究了薄膜的質(zhì)量，經(jīng)過原位鈍化的CsPbBrxCl3-x&TPPO薄膜熒光壽命更高，在帶隙內(nèi)顯示出較少的帶尾態(tài)，光致發(fā)光量子產(chǎn)率最終提升至30%，為優(yōu)異的器件性能奠定了基礎(chǔ)。

    基于優(yōu)化后的發(fā)光層薄膜，團隊進一步構(gòu)筑了全真空結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦發(fā)光二極管器件。通過選用對鈣鈦礦薄膜有鈍化作用的電子傳輸層進一步修飾界面，制備工藝可兼容現(xiàn)有OLED產(chǎn)線技術(shù)，所制備的藍色PeLED在475nm處表現(xiàn)出2.47%的峰值外量子效率和純藍光發(fā)射，這代表了氣相沉積純藍色PeLED的最先進性能。。

    為了驗證熱蒸發(fā)工藝的應(yīng)用價值，我們報道了使用熱蒸發(fā)工藝的大面積藍色AM-PeLED的顯示屏，得益于熱蒸發(fā)的優(yōu)異均勻性和兼容性，這塊6.67英寸藍光AM-PeLED顯示屏成功顯示，分辨率為394 ppi，這代表著向全彩鈣鈦礦顯示器技術(shù)邁出了關(guān)鍵一步。

圖1. 全熱蒸發(fā)藍色PeLED的電致發(fā)光性能。(a) 器件結(jié)構(gòu)。(b) PeLED的能帶結(jié)構(gòu)。以TSPO1或TPBi為電子傳輸層的器件的 (c) 電流密度-電壓、亮度-電壓曲線和 (d) EQE-電流密度曲線。(e) TSPO1或TPBi器件在7.2 V電壓下的電致發(fā)光光譜，較窄的光譜表示較少的缺陷。(f) TSPO1或TPBi器件在電壓從5 V上升到7 V時的歸一化光譜。

圖2. 有源矩陣藍色PeLED顯示屏的演示。(a) 藍色PeLED顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。(b) 顯示面板的截面SEM圖像，其中PDL層是用于分離PeLED的每個顯示單元的像素定義層。(c) 國際照明委員會顯示器和REC 2020的藍色發(fā)射器坐標。(d-e) 通過藍色AM PeLED顯示面板顯示的地球圖像和字母。(f) 從(e) 字母圖像放大的像素到像素圖案的顯微圖像。

    致謝

    這項工作得到了國家自然科學(xué)基金、湖北省自然科學(xué)創(chuàng)新研究基金，博士后創(chuàng)新人才支持計劃、湖北省R&D項目、小米青年英才計劃與華中科技大學(xué)分析測試中心的支持與幫助，在此一并感謝。