應(yīng)用材料顯示事業(yè)部（AKT）在日本橫濱的2012年國際平板顯示器展(FPDI2012)現(xiàn)場，通過視頻會(huì)議系統(tǒng)向北京媒體宣布，推出分別采用低溫多晶硅（LTPS）和金屬氧化物材料的PXPECVD（等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積）和PiVotPVD（物理氣相沉積）薄膜沉積系統(tǒng)。

    這兩個(gè)系統(tǒng)主要應(yīng)用于超高分辨率電視及移動(dòng)設(shè)備高像素密度的8.5代LCD和OLED屏玻璃基板制造。

    應(yīng)用材料AKT的CVD產(chǎn)品營銷執(zhí)行總監(jiān)肖勁松表示，PXPECVD系統(tǒng)包含3個(gè)平臺：針對5代基板的15KPXPECVD，基板尺寸為1200x1300mm；6代基板的25KPXPECVD，基板尺寸為1500x1800mm；8.5代基板的55KPXPECVD，基板尺寸為2200x2500mm。上述三類基板厚度均為0.5~0.7mm。

    PXPECVD的主要特點(diǎn)有：可滿足LTPS薄膜晶體管430℃的工藝溫度（非晶硅薄膜晶體管350℃）；在1.6~5.7m2玻璃基板上沉積出的薄膜厚度均勻性<5%（非晶硅薄膜晶體管為10~15%）；薄膜性能分布更嚴(yán)格；每個(gè)系統(tǒng)平臺可放5個(gè)工藝腔，生產(chǎn)效率為每小時(shí)65塊基板。工藝控制過程如圖1所示。

    應(yīng)用材料AKTPVD產(chǎn)品總經(jīng)理JohnBusch表示，對基于金屬氧化物的薄膜晶體管，PiVotPVD系統(tǒng)采用旋轉(zhuǎn)陰極專利技術(shù)，沉積具有高電子遷移率的銦鎵鋅氧化物（IGZO），以形成晶體管通道；消除了顯示背板的霧化效應(yīng)；所用的圓柱形靶材含雜質(zhì)低（良率更高），沉積速率快，利用率提升了3倍，還可減少顆粒，實(shí)現(xiàn)自我清潔，使用80%后仍很干凈；獨(dú)特的磁鐵運(yùn)行模式使各膜層可在相對靜止的狀態(tài)下均勻沉積；氣體輸配、靶材侵蝕及陣列設(shè)計(jì)確保了薄膜晶體管的一致性（見圖2）。

圖1AKTLTPS的工藝控制過程

圖2PiVotPVD系統(tǒng)可確保薄膜晶體管的一致性

    肖勁松還指出，實(shí)際上，顯示制造商在利用金屬氧化物技術(shù)時(shí)，成本會(huì)比用傳統(tǒng)技術(shù)上升20~30%；用LTPS技術(shù)時(shí)，成本會(huì)上升40~60%。但是，高電子遷移率會(huì)提升產(chǎn)品的整體經(jīng)濟(jì)效益。此外，傳統(tǒng)方式的產(chǎn)品良率較低，而對于高像素、高清晰的顯示產(chǎn)品，傳統(tǒng)的非晶硅技術(shù)無法實(shí)現(xiàn)，只能采用LTPS或金屬氧化物技術(shù)。通過霧性均勻性和顆粒性控制，可提高良率。

    應(yīng)用材料AKT稱，目前已收到部分顯示制造商對上述2類4種產(chǎn)品的訂單。